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santecが、シリコンフォトニクスデバイス評価に適した波長掃引型フォトニクスアナライザ「SPA-100」を発表

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 santecは2月28日、OFDR (Optical Frequency Domain Reflectometry)技術を用いた波長掃引型フォトニクスアナライザ SPA-100を開発したと発表した。

 同製品は、santec波長可変レーザ (TSLシリーズ)のアドオンモジュールとして機能し、フォトニクスデバイス評価に要求される3つの機能(反射点計測, 波長依存損失計測, 近接センシング)を提供する分析装置だ。
 広帯域波長可変のTSLと組み合わせることで、フォトニクスデバイスの損失点の位置を5umの高い分解能で検出できる。また、光コヒーレント検出技術を採用したことにより、1 回の波長掃引で70dBを超える広いダイナミックレンジで波長依存損失(WDL)が測定できる。さらに、特許取得済みの近接センシング機能が、ファイバプローブとデバイス間の精密な距離測定を実現し、シリコンフォトニクスデバイス生産ラインにおいてウェハレベル特性評価時のアライメント工程を容易にする。
 これらの特徴により、同製品は、シリコンフォトニクスおよび小型光コンポーネントの開発や生産など様々なアプリケーションで理想的なツールとなっている。

外観および分析例

新製品の特長

高分解能:5umの高い距離分解能で分析可能

広帯域および高ダイナミックレンジ:最大160nmの広い波長範囲及び70dB以上の高いダイナミックレンジでWDL測定が可能

近接センシング:ファイバプローブとデバイス間距離の精密測定が可能

ユーザフレンドリーなGUI :導波路上の反射点と損失を示すグラフにより障害点を特定し、導波路長や実効屈折率などの解析機能を提供

 SPA-100は、OFC2023(3/7~)のsantecブースで展示予定。